GreenMOS系列高压MOSFET产品具有比常规超级结MOSFET产品更快的开关速度和更柔和的开关曲线，可以极大的简化系统EMI设计、提高系统效率并降低系统发热量。

SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。

东微计划推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT产品，涵盖650V~1700V电压，可广泛应用于白色家电、新能源逆变器、汽车驱动等领域。